SJ 20644.2-2001 半导体光电子器件GD101型PIN光电二极管详细规范
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ID： |
B813BC69092A4900845EBC9090C25600 |
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文件大小(MB)： |
0.49 |
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9 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 20644/2—2001,半导体光电子器件,GD101型PIN光电二极管,详细规范,Semiconductor optoelectronic devices,r Detail specification for type GD101 PIN photodiode,2001-12-27 发布2002-01-01 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GD1O1型PIN光电二极管详细规范,SJ 20644/2 2001,Semiconductor optoelectronics devices,Detail specification for type GD101 PIN photodiode,1,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 GD101型PIN光电二极管（以下简称“器件”）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购。.,1.3 分类,按本规范提供的器件根据SJ 20644—97《PIN、APD光电探测器总规范》规定为:,密封等级A级;,波 K 0.4 jim.1.1 gm；,光耦合类型3型一平面光窗,2引用文件,GB/T 15651—1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件,GJB 128A—97半导体分立器件试验方法,SJ 2354—83 PIN、雪崩光电二极管测试方法,SJ 20644—97 PIN. APD光电探测器总规范,3要求,3. I详细要求,应符合SJ 20644和本规范的规定,3. 2合格鉴定,本规范提交的器件应是经鉴定合格批准的产品,3.3 材料,3. 3. 1芯片材料,器件芯片材料为硅,3.3.2 引线材料,引线材料为可伐合金,3.3.3 光窗材料,中华人民共和国信息产业部2001-12-27发布2002-01-01 实施,1,SJ 20644/2—2001,平面玻璃,光透过率大于90%.,3,4结构,器件的结构应符合SJ 20644和本规范的规定,3.4 」芯片结构,芯片结构为PINo,3.4 2光敏面直径,光敏面直径6 mm4,3. 4.3封装形式,器件采用全金属化熔封,3.4 .4引线镀涂,引线为镀金,也可按照订货文件规定（见62）选择镀层,3.4 .5外形尺寸,外形尺寸见图!o,图1外形图,mm,、ぐ号,尺寸,￠0 皿￠￡12 旭L A # J k e 百火。）,最小值15.1 13.8 104 0.4 12.7 3.8 0.8 0,8 — 丒 1,公称值1 ― 1 " ■ — 1 . 2.6 10.0 45,最大值15.5 14,2 1L6 竺, 15.0 4.4 _ __ ム2 __1.2 _,11外形尺寸,3.4 .6引出端排列,引出端排列见图2,2,下载,SJ 20644/2—2001,邕脚 藝性,k 4 正级,2? 5,3, 6,负级,空,3,4.7引线长度,可按订货文件规定（见6.2）,提供引线长度不同于图1的器件,3.5 光电性能,3 . 5.1最大额定值,最大额定值见表1,表1,丁貳号,℃,Ta,℃,丁,Id,℃,腺,V,/fm,mA,P tot,mW mW,一45.125 -45700 260 20 10 20 10,3 .5.2主要光电特性,主要光电特性见表2 CTa=25 ℃）〇,表2,特性符号测试条件,极限值,单位,最小值最大值,暗电流險=15 V 或=0 ■ 0.15 PA,响应度5 レス=15 V ス=0.9 pm 我=30 p\V 0.5 — ^A/pW,电容尸 1 MHz rR=]5 V 40 PF,上升时间レ県二15 V Kl=50Q 10 ns,下降时间彳人=30 pW え=0.9 pm ■ 12 ns,反向击穿电压レ’BR /r=101A 30 ■ ■ V,光谱响应范围えL.えII rR=i5vt 或=30p\v 04 LI pm,3.6 标志,标志应符合SJ 20644和本规范的规定。器件上应打印下列标志:,型号和序号,4质量保证规定,4.1抽样和检验,抽样和检验应按SJ 20644和本规范的规定,4. 1.I表4中A1分组进行检验和试验的器件可以用于A2分组。A2分组合格样品可以用于A3分,组和A4分组的检验和试验。如果样本母数不满足抽样要求时，则进行百分之百检验口,3,SJ 20644/2—2001,47.2鉴定检验总样品量至少应等于B、C组抽样数的2倍,4.L3如果光电参数不合格的器件已随同检验批通过老炼前各项试验,则表5中B1、B4分组可以,用同一检验批中光电参数不合格的器件进行检验.,4.L4通过表5中B3分组的器件可继续按表6中C5分组的规定进行试验,直至总试验时间达到,1 000 ho,47.5按表6中Cl分组进行检验的器件可以用于表6中C2分组的检验和试验,4.2筛选,应按SJ 20644和本规范表3的规定.,表3筛选,筛选,GJB 128A,方法 条件,单位,内部目检（封装前）,高温寿命（不工作）,牖L度循环,恒定加速度,2073,1032,1051,2006,T,tg=125 ℃ z=24h,除最低温度ー45で外其余,按试验条件B,Y1方向,加速度49 000 m/s2,不需保持1 min,密封,a,细检漏,1071,试验条件Hh,加压时间2h;,率 5xlO-3 Pa cmVs,b.粗检漏试验条件C；,加压时间4 h；,压カ414 kPa,光电参数测试,ムヤ）,电老炼（高温反偏）,SJ 2354.3,SJ 2354.6,1038,最后……
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